结束了和二人的谈话，陈阳再次回到了办公室，开始了新的芯片的设计，并把其中的部分工作分配给了张振兴。

        看到陈阳分发过来的部分方案，张振兴忍不住走了上来，说出了自己的疑惑。

        “陈教授，咱们现在造1纳米芯片，是不是有些激进了？按照当前的理论，硅芯片若是做到2纳米以下，就会直接“漏电”电子将会直接穿过栅极，无法再实现“开关”的功能，失去了二极管的特性，理论上无法做成。”张振兴对着陈阳说道。

        “这确实是一个技术难题，不过，并不会成为硅基芯片的极限。10年前，说硅基芯片的极限是68纳米，5年前说硅基芯片的极限是22纳米，3年前说硅基芯片的极限在10纳米，之前又说是7纳米，5纳米，现在又说是2纳米。

        这些都不过是猜测而已！

        关于1纳米面临的栅极击穿问题，咱们可以改变栅极结构，由原来的立体或者鱼鳍形结构，变成球体！或者半球体！而在球体或者半球体结构上，采用不同的物质，看似是两条通道，实际是四条通道，这样可以有效阻挡电子的通过，但是，这些增加的通道，又并未大幅增加电子的传输距离！”

        “这样的话，岂不是会增大很多的能耗？”张振兴对着陈阳再次问道。

        仅仅是三位立体的栅极，也已经增大了很多的能耗，这一点在手机上有很大的体现！

        前不久最新设计的5纳米芯片，虽然号称是5纳米，但是，实际计算性能并未提升太多，而功耗却是原来的几倍！最直观的体验，就是手机在使用的时候，极其因为功耗过大而急速发热，甚至都能当暖手宝了！”

        “这个问题提在了点上，不过，我们已经把这个问题给解决了。”

        随后把一个试验报告递了过去。

        “这个是我们刚刚做的试验，利用球形栅极，取代现在的鱼鳍式栅极，并且，利用多点加压，可以实现1纳米制程，晶体管数量可以达到200亿个，运算速度可以相比于5纳米的可以提高60%以上，功耗上面却节省了30%。”

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